Photoreflectance을 이용한 InAs/GaAs 양자점 국소전기장 분포에 관한 연구

Title
Photoreflectance을 이용한 InAs/GaAs 양자점 국소전기장 분포에 관한 연구
Other Titles
Investigation of Localized Electric Field distributions in InAs/GaAs Quantum Dots by Using Photoreflectance Spectroscopy
Author(s)
김종수한임식[한임식]조현준[조현준]이상조[이상조]손창원[손창원]리얀패트릭스미스하재두[하재두]박동욱[박동욱]배인호이상조[이상조]노삼규[노삼규]
Keywords
InAs QDs; MBE; Photoreflectance; Franz-Keldysh oscillation; 인듐비소 양자점; 분자선박막성장장치; 광반사변조분광법; 프란츠켈디쉬 진동
Issue Date
201202
Publisher
한국물리학회
Citation
새물리, v.62, no.2, pp.227 - 232
Abstract
본 연구에서는 분자선박막성장 장치로 제작된 InAs/GaAs 양자점의 광학적특성을 photoreflectance spectroscopy(PR)를 이용하여 연구하였다. InAs 양자점이 삽입된 시료의 PR 신호에서 시료내부의 전기장에 의한Franz-Keldysh oscillation(FKO)이 관측되었다. 관측된 FKO 신호로부터fast Fourier 변환 (FFT)을 이용하여 InAs 양자점에 의해 형성된국소화된 전기장을 측정하였다. 주어진 전기장에 의해 나타나는 FKO의주파수는 전자-무거운 정공 (e-hh)과 전자-가벼운 정공 (e-lh)간의전이에 의해 두 가지 성분으로 나타난다. 연구결과로부터 InAs 양자점과GaAs 계면에서 양자점에 의한 응력 분포에 의해 국소화된 전기장이형성됨을 제안하였다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/29762
ISSN
0374-4914
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이과대학 > 물리학과 > Articles
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