RF 마그네트론 스퍼터를 사용하여 증착한 IZTO 박막의 Zn/Sn 비율에 따른 효과

Title
RF 마그네트론 스퍼터를 사용하여 증착한 IZTO 박막의 Zn/Sn 비율에 따른 효과
Other Titles
The Effect of Zn/Sn Different Raito of InZnSnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
Author(s)
이희영김기환마리야느푸트리구창영이정아[이정아]김정주[김정주]
Keywords
TCO (transparent conducting oxide); IZTO (In2O3ZnOSnO2); RF magnetron sputtering
Issue Date
201308
Publisher
한국전기전자재료학회
Citation
전기전자재료학회논문지, v.26, no.8, pp.591 - 596
Abstract
ITO박막은 낮은 비저항과 높은 투과성을 가진 투명 전도막의 대표적 물질중 하나이다. 하지만 그 주성분인 인듐은 제한적인 매장량, 높은 가격, 고온에서 불안정 문제점 등을 가지고 있다. 이러한 이유로 인해 대체 투명전극 재료 개발에 많은 연구가 집중되고 있는 가운데 인듐절약형 ITO소재를 연구한 North Western 대학의 Mason 그룹에서는 Sn+4와 Zn+2를 1:1의 비율로 co-doping함으로써 고용범위를 40%까지 확대시킬 수 있었다고 보고된 바 있다. 이를 바탕으로 하여 인듐의 함량을 50 at%까지 줄이고 Zn/Sn 비율 변화에 따른 전기적 광학적 그리고 구조적인 특성을 분석한다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/29125http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2013.26.8.591
ISSN
1226-7945
Appears in Collections:
공과대학 > 신소재공학부 > Articles
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE