ZnSe/GaAs 이종접합 구조에서 ZnSe의 Electroreflectance 연구

Title
ZnSe/GaAs 이종접합 구조에서 ZnSe의 Electroreflectance 연구
Other Titles
Electroreflectance Study of ZnSe in ZnSe/GaAs Heterostructure
Author(s)
배인호조현준
Keywords
ZnSe/GaAs; Electroreflectance; 무거운 정공; 가벼운 정공; 변형 효과; ZnSe/GaAs; Electroreflectance; Heavy-hole; Light-hole; Strain effect
Issue Date
201211
Publisher
한국진공학회
Citation
한국진공학회지, v.21, no.6, pp.322 - 327
Abstract
Molecular beam epitaxy 방법으로 성장된 ZnSe/GaAs 이종접합 구조에서 ZnSe의 electroreflectance (ER) 특성을 조사하였다. ER 측정은 변조 전압, 인가 전압 및 온도의 변화에 따라 수행하였다. 상온의 ZnSe ER 스펙트럼에서 압축 변형에 의하여분리된 가전자대의 무거운 정공(HH: 2.609 eV) 및 가벼운 정공(LH: 2.628 eV)과 전도대 사이의 전이를 관측하였다. 인가전압이 증가함에 따라 HH 전이 신호의 크기는 점차 감소하였으나, LH 전이 신호의 크기 변화는 미미하였다. 온도에 따른 ER 스펙트럼의 변화를 통하여 변형과 열팽창 계수와의 관계를 연구하였다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/26927
ISSN
2288-6559
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이과대학 > 물리학과 > Articles
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