InAs/GaAs 양자점 태양전지에서 전하트랩의 영향

Title
InAs/GaAs 양자점 태양전지에서 전하트랩의 영향
Other Titles
Influence of Carrier Trap in InAs/GaAs Quantum-Dot Solar Cells
Author(s)
김종수한임식박동우[박동우]김진수[김진수]노삼규[노삼규]
Keywords
태양전지; 양자점; 준단층; 광여기 발광; 갈륨비소; 인듐비소; Solar cell; Quantum dot; Quasi-monolayer; Photoluminescence; Gallium arsenide; Indium arsenide
Issue Date
201301
Publisher
한국진공학회
Citation
한국진공학회지, v.22, no.1, pp.37 - 44
Abstract
본 연구에서는 양자점(quantum dot, QD)에서의 전하트랩이 태양전지의 특성에 미치는 영향을 조사하기 위하여, GaAs 모체태양전지(MSC)의 활성층에 InAs/GaAs QD을 삽입한 p+-QD-n/n+ 태양전지(QSC)를 제작하여 그 특성을 비교 조사하였다. Stranski-Krastanow (SK)와 준단층(quasi-monolayer, QML)의 2종류 QD를 도입하였으며, 표준 태양광(AM1.5)에서 얻은전류-전압 곡선으로부터 태양전지의 특성인자(개방전압(VOC), 단락전류(ISC), 충만도(FF), 변환효율(CE))를 결정하였다. SK-QSC의 FF값은 80.0%로 MSC의 값(80.3%)과 비슷한 반면, VOC와 JSC는 각각 0.03 V와 2.6 mA/cm2만큼 감소하였다. VOC 및 JSC 감소 결과로 CE는 2.6% 저하되었는데, QD에 의한 전하트랩이 주요 원인으로 지적되었다. 전하트랩을 완화시키기 위한구조로서 QML-QD 기반 태양전지를 본 연구에서 처음 시도하였으나, 예측과는 달리 부정적 결과를 보였다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/26673
ISSN
2288-6559
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