Cr/n-AlGaN/GaN Schottky Contact에서 높은 쇼트키 장벽 형성 메카니즘에 관한 연구

Title
Cr/n-AlGaN/GaN Schottky Contact에서 높은 쇼트키 장벽 형성 메카니즘에 관한 연구
Other Titles
Formation Mechanism of a Large Schottky Barrier Height for Cr-AlGaN/GaN Heterostructure
Author(s)
남효덕장자순이영민[이영민]
Keywords
Schottky contact; AlGaN-GaN interface; Schottky barrier height
Issue Date
201104
Publisher
한국전기전자재료학회
Citation
전기전자재료학회논문지, v.24, no.4, pp.266 - 270
Abstract
Cr을 이용하여 AlGaN/GaN 쇼트키접촉을 구현하였다. TFE 방법과 2DEG 방법에 의하여 얻어진 SBH는 각각 1.98 eV와 2.08 eV이었으며, 이는 Polarization- free AlGaN 구조에서 얻어진 0.9 eV보다 높은 값을 나타내었다. XPS 분석을 통하여, 높은 SBH 형성원인이 AlGaN/GaN 구조에서 AlGaN 전자표면밀도의 감소, 계면에서 Cr-O 화학결합형성 및 표면 Fermi level의 발런스 밴드 방향으로의 이동에 의한 것임을 알 수 있다. 본 연구결과는 고성능 전자소자 구현에 있어 고품질 Schottky gate개발에 큰 기여를 할 것으로 기대된다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/25340
ISSN
1226-7945
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