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dc.contributor.author류시옥ko
dc.contributor.author배은진ko
dc.contributor.author이진영ko
dc.contributor.author한승열[한승열]ko
dc.contributor.authorChih Hung Chang[Chih Hung Chang]ko
dc.date.accessioned2015-12-17T01:10:52Z-
dc.date.available2015-12-17T01:10:52Z-
dc.date.created2015-11-29-
dc.date.issued201110-
dc.identifier.citationKorean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK), v.49, no.5, pp.600 - 604-
dc.identifier.issn0304-128X-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/24365-
dc.description.abstract본 연구에서는 박막 트랜지스터(TFTs)에 사용 가능한 Indium Gallium 산화물(IGO) 박막을 스핀코팅을 이용한 화학적 용액공정을 사용하여 SiO_2/Si 기판 위에 증착시켰다. 또한 IGO 박막을 증착한 후에 이루어지는 열처리 온도가 박막의 결정화에 미치는 영향과 이들의 전기적 특성이 조사되었다. 스핀코팅법에 의한 IGO 박막을 증착하기 위해 사용된 In과 Ga의 비율은 2:1로 고정하였으며, 박막의 열처리 온도는 300~600 ℃의 범위에서 변화시켰다. 공기 중에서300 ℃와 600 ℃에서 1시간 동안 열처리한 IGO 박막을 사용하여 제조한 박막 트랜지스터의 전류 이동도(field effect mobility)는 각각 0.34와 3.83 cm^2/V·s로서 양호한 전자소자의 성능을 보였다. 또한 on/off 전류비(current ratio)는 10^5이상이었으며, IGO 박막의 평균 투과율은 98%이었다.-
dc.language한국어-
dc.publisher한국화학공학회-
dc.subjectTransparent Conducting Oxide-
dc.subjectIGO-
dc.subjectTFT-
dc.subjectSemiconductor-
dc.subjectSolution-Based Deposition Method-
dc.title저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨 산화물(IGO) 박막트랜지스터 제조 및 특성 연구-
dc.title.alternativeA Study on Indium Gallium Oxide Thin Film Transistors prepared by a Solution-based Deposition Method-
dc.typeArticle-
dc.identifier.kciidART001588080-
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