저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨 산화물(IGO) 박막트랜지스터 제조 및 특성 연구

Title
저온 용액공정을 이용한 인듐갈륨 산화물(IGO) 박막트랜지스터 제조 및 특성 연구
Other Titles
A Study on Indium Gallium Oxide Thin Film Transistors prepared by a Solution-based Deposition Method
Author(s)
류시옥배은진이진영한승열[한승열]Chih Hung Chang[Chih Hung Chang]
Keywords
Transparent Conducting Oxide; IGO; TFT; Semiconductor; Solution-Based Deposition Method
Issue Date
201110
Publisher
한국화학공학회
Citation
Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK), v.49, no.5, pp.600 - 604
Abstract
본 연구에서는 박막 트랜지스터(TFTs)에 사용 가능한 Indium Gallium 산화물(IGO) 박막을 스핀코팅을 이용한 화학적 용액공정을 사용하여 SiO_2/Si 기판 위에 증착시켰다. 또한 IGO 박막을 증착한 후에 이루어지는 열처리 온도가 박막의 결정화에 미치는 영향과 이들의 전기적 특성이 조사되었다. 스핀코팅법에 의한 IGO 박막을 증착하기 위해 사용된 In과 Ga의 비율은 2:1로 고정하였으며, 박막의 열처리 온도는 300~600 ℃의 범위에서 변화시켰다. 공기 중에서300 ℃와 600 ℃에서 1시간 동안 열처리한 IGO 박막을 사용하여 제조한 박막 트랜지스터의 전류 이동도(field effect mobility)는 각각 0.34와 3.83 cm^2/V·s로서 양호한 전자소자의 성능을 보였다. 또한 on/off 전류비(current ratio)는 10^5이상이었으며, IGO 박막의 평균 투과율은 98%이었다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/24365
ISSN
0304-128X
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공과대학 > 화학공학부 > Articles
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