수열합성법으로 성장된 산화아연 나노막대의 특성 및 열처리 효과

Title
수열합성법으로 성장된 산화아연 나노막대의 특성 및 열처리 효과
Other Titles
Annealing Effects on Properties of ZnO Nanorods Grown by Hydrothermal Method
Author(s)
김종수전수민[전수민]김민수[김민수]김군식[김군식]조민영[조민영]최현영[최현영]임광국[임광국]김형근[김형근]이동율[이동율]김진수[김진수]이주인[이주인]임재영[임재영]
Keywords
ZnO; Nanorods; Annealing; X-ray diffraction; Photoluminescence; 산화아연; 나노막대; 열처리; X-ray diffraction; photoluminescence
Issue Date
201007
Publisher
한국진공학회
Citation
한국진공학회지, v.19, no.4, pp.293 - 299
Abstract
수열합성법으로 실리콘 (111) 기판 위에 산화아연 나노막대를 성장하였다. 산화아연 나노막대를 성장하기 전, 실리콘 기판에 스핀코팅법으로 씨앗층을 성장하였다. 산화아연 나노막대는 오토클레이브(autoclave)로 140˚C에서 6시간 동안 성장하였고, 아르곤 분위기에서 300, 500, 700˚C의 온도로 20분 동안 열처리하였다. X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), photoluminescence (PL)를 이용하여 열처리한 산화아연 나노막대의 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 산화아연 나노막대 시료에서 c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO (002) 회절 피크와 약한 ZnO (004) 회절 피크가 나타났다. 열처리 온도가 증가함에 따라 산화아연 나노로드의 residual stress는 compressive에서 tensile로 변하였다. Hexagonal 형태의 산화아연 나노로드를 관찰하였다. 산화아연 나노로드의 PL 스펙트럼은 free-exciton recombination에 의해 3.2 eV에서 좁은 near-band-edge emission (NBE) 피크와 산화아연 나노막대의 결함에 의해 2.12∼1.96 eV에서 넓은 deep-level emission (DLE) 피크가 나타났다. 산화아연 나노막대를 열처리함에 따라, NBE 피크의 세기는 감소하였고 DLE 피크는 열처리에 의해 발생한 산소 관련 결함에 의하여 적색편이 하였다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/23913
ISSN
2288-6559
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이과대학 > 물리학과 > Articles
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