In0.49Ga0.51P/GaAs 이종접합 구조의 표면 광전압 특성

Title
In0.49Ga0.51P/GaAs 이종접합 구조의 표면 광전압 특성
Other Titles
Surface Photovoltage Characterization of In0.49Ga0.51P/GaAs Heterostructures
Author(s)
배인호김정화[김정화]김인수[김인수]
Keywords
In0.49Ga0.51P/GaAs heterostructure; SPV; Varshni coefficients; Bose-Einstein parameters; In0.49Ga0.51P/GaAs 이종접합; 표면 광전압; Varshni 계수; Bose-Einstein 파라미터
Issue Date
201009
Publisher
한국진공학회
Citation
한국진공학회지, v.19, no.5, pp.353 - 359
Abstract
Metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) 법으로 성장된 In0.49Ga0.51P/GaAs 이종접합 구조의 특성을 표면 광전압(surface photovoltage; SPV) 분광법으로 조사하였다. SPV 측정은 입사광의 세기, 변조 주파수, 온도의 함수로 수행하였다. 상온에서 시료의 띠간격 에너지(band gap energy)는 GaAs와 In0.49Ga0.51P는 각각 1.400 및 1.893 eV이었다. 광세기를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 증가하는 반면에, 변조 주파수를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 감소하였다. 그리고 SPV 스펙트럼의 온도 의존성으로부터 GaAs와 In0.49Ga0.51P의 띠간격 에너지의 변화를 Varshni 및 Bose-Einstein 표현에 의해 분석하였다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/23610
ISSN
2288-6559
Appears in Collections:
이과대학 > 물리학과 > Articles
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE