광전류 분광법에 의한 InAs/GaAs 양자점의 특성 연구

Title
광전류 분광법에 의한 InAs/GaAs 양자점의 특성 연구
Other Titles
A Study of the Properties of InAs/GaAs Quantum Dots by using Photocurrent Spectroscopy
Author(s)
배인호조현준 [조현준 ]김정화[김정화]김인수[김인수]
Keywords
InAs/GaAs; 양자점; 광전류; I-V 곡선; InAs/GaAs; Quantum dots; Photocurrent; I-V curve
Issue Date
201002
Publisher
한국물리학회
Citation
새물리, v.60, no.2, pp.213 - 217
Abstract
불순물이 첨가되지 않은 GaAs(100) 기판 위에 molecular beam epitaxy(MBE)법으로 성장시킨 InAs/GaAs 양자점 구조의 광전류 특성을 연구하였다. 입사광의 에너지를 변화시키면서 전류-전압(I-V)을 측정한 결과 양자점에서 여기된 전자-정공 쌍이 전도전류에 직접적으로 기여함을 알 수 있었다. 온도 18 K에서 측정된 I-V 곡선을 통하여 양자점에서 두 광자 흡수 현상을 확인하였다. 18 K에서 120 K까지 온도가 증가함에 따라 양자점에서 운반자(carrier) 탈출이 증가하여 전도전류가 점차 증가하였으며, 온도 150 K 이상에서는 열에너지에 의한 시료의 저항 증가로 다시 감소하였다. 광전류 분광법을 통하여 1.244와 1.352 eV에서 양자점 신호를 관측하였다. 그리고 온도가 증가함에 따라 120 K 이상에서 내부 전류의 방향이 변경되는 것을 확인하였다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/22839
ISSN
0374-4914
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이과대학 > 물리학과 > Articles
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