화학적 리프트 오프 방식을 이용한 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법

Title
화학적 리프트 오프 방식을 이용한 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
Author(s)
영남대학교 산학협력단장자순
Issue Date
20130808
Abstract
본 발명의 제1 측면에 따르면, 본 발명은 기판을 준비하는 단계; 버퍼층을 적층하는 단계; 상기 버퍼층 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 차례로 적층된 복수개의 발광 구조체를 형성하는 단계; 상기 발광 구조체 각각에 투명 전극층을 적층하는 단계; 상기 발광 구조체의 상기 투명 전극층 상부에 상기 발광 구조체의 상단부와 동일한 형태와 크기로 형성되는 갖는 제1 본딩 금속층 및 제2 본딩 금속층으로 구성되는 본딩 금속층에 의해 비아홀이 형성된 서브 기판을 본딩하는 단계; 및 상기 비아홀을 통해 식각액을 공급하여 상기 버퍼층을 식각하여 상기 기판을 상기 발광 구조체로부터 분리하는 단계; 를 포함하고, 상기 서브 기판을 본딩하는 단계는 상기 발광 구조체의 사이의 공간으로 통하는 상기 비아홀을 폐쇄하지 않도록 상기 제1 본딩 금속층 및 제2 본딩 금속층을 정렬하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법을 제공한다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/22120
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공과대학 > 전자공학과 > Patents
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