질화물계 반도체 기반 열전소자가 집적된 발광소자 및 그 제조방법

Title
질화물계 반도체 기반 열전소자가 집적된 발광소자 및 그 제조방법
Author(s)
영남대학교 산학협력단박일규
Issue Date
20130228
Abstract
본 명세서는 질화물계 열전층을 포함하여 반도체 발광 소자에서 발생되는 열을 효율적으로 제거하거나 냉각함으로써 발광소자의 효율 및 신뢰성을 향상시키고, 발광소자에서 발생된 열을 이용하여 전력을 재생산하고(Seebeck effect), 이를 발광소자로 재주입함으로써 에너지활용 효율을 극대화할 수 있는 GaN 반도체 기반의 열전소자가 집적된 반도체 발광 소자를 제공한다.이를 위해, 일 실시예에 따른 GaN 반도체 기반의 열전소자가 집적된 반도체 발광 소자는, 발광 구조물 및 상기 발광 구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되는 질화물계 열전층을 포함하되, 상기 발광 구조물은, n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어; p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어 및 활성층을 포함하되, 상기 활성층은 상기 제 1 레이어 및 제 2 레이어의 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/22114
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공과대학 > 전자공학과 > Patents
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