이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법

Title
이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
Author(s)
영남대학교 산학협력단장자순
Issue Date
20130626
Abstract
본 발명은 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 이중 금속 전극층을 이용한 발광 다이오드는, 기판과, 상기 기판의 상면에 형성되는 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층의 상면에 형성되는 활성층과, 상기 활성층의 상면에 형성되며, 상기 제1 반도체층과 상반되는 극성의 다수 캐리어를 가지는 제2 반도체층과, 상기 제2 반도체층의 상면에 형성되며, 적어도 하나의 도펀트를 포함하는 투명 전극층, 상기 투명 전극층의 상면에 형성되어 상기 투명 전극층과 오믹 접촉(ohmic contact)을 하는 제1 금속 전극층과, 상기 제1 금속 전극층의 상면에 형성되며, 수소 결합 반응을 하는 제2 금속 전극층을 포함한다.이에 따라, 발광 다이오드의 전극 중 N형 전극 또는 P형 전극 중 적어도 하나의 전극을 2중 전극 구조를 가지는 금속 전극층을 이용함으로써 질화갈륨 반도체 표면에서 캐리어의 농도를 높이고, 오믹 접촉 및 수소 반응성을 향상시킬 수 있다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/22082
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공과대학 > 전자공학과 > Patents
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