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dc.contributor.other영남대학교 산학협력단ko
dc.date.accessioned2015-12-16T16:35:25Z-
dc.date.available2015-12-16T16:35:25Z-
dc.date.issued20120419-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/22014-
dc.description.abstract발광 다이오드가 개시된다. 상기 발광 다이오드는 기판 상에 순차적으로 형성된 버퍼층, 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층을 포함하고, 상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 및 상기 제 2 클래드층의 사이의 계면에 제공되고 그 하부의 물질을 노출하는 금속 패턴이 제공된다.-
dc.title발광 다이오드 및 그 제조방법-
dc.typePatent-
dc.identifier.registno10-1140140-
dc.date.regist2012-04-19-
dc.identifier.applicationno10-2010-0006036-
dc.date.application2010-01-22-
dc.contributor.creator박시현ko
dc.contributor.creator장자순ko
dc.contributor.creator박일규ko
dc.description.claim청구항1. <claim-text>기판;<br></br>상기 기판 상의 버퍼층;<br></br>상기 버퍼층 상의 제 1 클래드층;<br></br>상기 제 1 클래드층 상의 활성층; <br></br>상기 활성층 상의 제 2 클래드층; 및 <br></br>상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 및 상기 제 2 클래드층을 포함하는 그룹의 층들 사이의 적어도 하나의 계면, 또는 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층의 내부에 제공되고, 그 하부의 물질을 노출하는 금속 패턴을 포함하고,<br></br>상기 금속 패턴은 상부 표면에서 요철구조를 갖는 금속막인 발광 다이오드.</claim-text> 청구항2. <claim-text>제 1 항에 있어서, <br></br>상기 기판은 사파이어, GaN, GaAs, SiC, Si 또는 GaP를 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항3. <claim-text>제 1 항에 있어서, <br></br>상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 GaN 또는 InGaAlP를 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항4. <claim-text>제 1 항에 있어서, <br></br>상기 금속 패턴은 Ag, Al, Au, Pd, Pt, Ni, Zn, Mo, W, Cr, Ti, Rh, Eu, Pr 또는 Mn을 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항5. <claim-text>제 4 항에 있어서, <br></br>상기 금속 패턴은 상기 버퍼층, 상기 제 1 및 제 2 클래드층 및 상기 활성층의 성장 온도 보다 높은 녹는 온도를 갖는 금속을 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항6. <claim-text>제 5 항에 있어서, <br></br>상기 금속 패턴은 고융점 금속을 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항7. <claim-text>제 1 항에 있어서, <br></br>상기 금속 패턴의 두께는 수 옹스트르롱 내지 수백 나노미터인 발광 다이오드.</claim-text> 청구항8. <claim-text>제 1 항에 있어서, <br></br>상기 금속 패턴은 서로 분리된 금속 아일랜드들인 발광 다이오드.</claim-text> 청구항9. <AmendStatus status="D">삭제</AmendStatus> 청구항10. <claim-text> 기판 상에 버퍼층, 제 1 클래드층, 활성층, 및 제 2 클래드층을 순차적으로 형성하고; 그리고<br></br>상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 및 상기 제 2 클래드층을 포함하는 그룹의 층들 사이의 적어도 하나의 계면, 또는 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층의 내부에, 그 하부의 물질층을 노출하는 금속 패턴을 형성하는 것을 포함하고,<br></br>상기 금속 패턴을 형성하는 것은,<br></br>상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층 상에, 금속막을 형성하고; 그리고<br></br>산을 포함하는 가스 분위기에서 상기 금속막의 상부 표면을 부식 처리하여, 상기 금속막의 상부 표면에 요철구조를 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.</claim-text> 청구항11. <claim-text>제 10 항에 있어서, <br></br>상기 기판은 사파이어, GaN, GaAs, SiC, Si 또는 GaP를 포함하는 발광 다이오드 제조방법.</claim-text> 청구항12. <claim-text>제 10 항에 있어서, <br></br>상기 금속 패턴을 형성하는 것은,<br></br>상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층 상에, 금속막을 형성하고; 그리고<br></br>상기 금속막을 열처리하여, 나노 사이즈의 서로 분리된 금속 아일랜드들을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.</claim-text> 청구항13. <claim-text>제 12 항에 있어서, <br></br>상기 금속 아일랜드들을 형성한 후, 상기 금속 아일랜드들과 접촉하는 상기 물질층과 동일한 물질의 층을 추가적으로 형성하여, 상기 금속 아일랜드들이 상기 물질의 층 내부에 함유되도록 하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.</claim-text> 청구항14. <claim-text>제 12 항에 있어서, <br></br>상기 금속막을 형성하는 것은, 유기금속증착 방법 또는 ALD 방법을 사용하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.</claim-text> 청구항15. <claim-text>제 12 항에 있어서, <br></br>상기 금속막을 열처리하는 것은,<br></br>환원 분위기에서 상기 버퍼층, 상기 제 1 및 제 2 클래드층 및 상기 활성층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 수행되는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법.</claim-text> 청구항16. <claim-text>제 12 항에 있어서, <br></br>상기 금속막을 열처리하는 것은, 후속의 층 형성을 위한 온도의 열에 의하여 수행되는 발광 다이오드 제조방법.</claim-text> 청구항17. <AmendStatus status="D">삭제</AmendStatus> 청구항18. <claim-text>제 10 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, <br></br>상기 금속 패턴 상부의 층은, 상기 금속 패턴이 존재하는 상태에서 상기 금속 패턴에 의하여 노출된 상기 물질층으로부터 성장되는 발광 다이오드 제조방법.<br></br></claim-text>-
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공과대학 > 전자공학과 > Patents
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