CIGS 태양광 흡수층 제조방법

Title
CIGS 태양광 흡수층 제조방법
Author(s)
영남대학교 산학협력단전찬욱
Issue Date
20120525
Abstract
본 발명은 Cu(In,Ga)Se2 (이하 CIGS) 화합물박막 태양전지의 흡수층 물질인 CIGS를 제조함에 있어서, CuInGa 금속 전구체를 셀렌화 처리할 때 최소량의 셀레늄(Se)을 균일하게 공급시키는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 의할 시 제 1 기판 상에 구리, 인듐 및 갈륨으로 구성된 금속 전구체가 코팅된 전구체 기판을 준비하는 단계, 제 2 기판 상에 셀레늄이 코팅된 셀레늄 코팅 기판을 준비하는 단계, 상기 전구체 기판의 금속 전구체 일면과 상기 셀레늄 코팅 기판의 셀레늄 일면을 대면시켜 밀착하는 단계 및 상기 밀착된 전구체 기판 및 셀레늄 코팅 기판을 상기 셀레늄 코팅 기판에 코팅된 셀레늄의 기화가 가능한 온도로 가열하는 단계를 포함하는 CIGS(Copper-Indium-Galium-Selenium) 박막 코팅 기판의 제조방법이 제공된다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/21981
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공과대학 > 화학공학부 > Patents
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