원자층 증착법에 의한 박막 형성 방법, 이를 포함하는 반도체 소자의 배선 및 그 제조 방법

Title
원자층 증착법에 의한 박막 형성 방법, 이를 포함하는 반도체 소자의 배선 및 그 제조 방법
Author(s)
영남대학교 산학협력단김수현천태훈
Issue Date
20121026
Abstract
원자층 증착법에 의한 박막 형성 방법, 확산 방지막을 포함하는 반도체 소자의 배선 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막의 형성 방법은, Ru을 증착하는 Ru 증착 단계; 및 AlOx을 증착하는 AlOx 증착 단계;를 포함하고, 상기 Ru 증착 단계를 복수회 반복하여 수행한 후, 상기 AlOx 증착 단계를 1회 이상 반복하여 수행하는 증착 사이클에 의하여, Ru에 AlOx이 함입되도록 한다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/21972
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공과대학 > 신소재공학부 > Patents
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