Graphene을 이용한 GaN 기반 발광 다이오드

Title
Graphene을 이용한 GaN 기반 발광 다이오드
Author(s)
영남대학교 산학협력단장자순
Issue Date
20141202
Abstract
본 발명의 제1 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 적층되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 적층되는 제1 반도체 하부층; 상기 제1 반도체 하부층 상에 적층되는 열전도층; 상기 열전도층 상에 적층되는 제1 반도체 상부층; 상기 제1 반도체 상부층 상에 적층되는 활성층; 상기 활성층 상에 적층되는 제2 반도체층; 상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 활성층 각각의 일부영역을 제거하여 부분적으로 노출되는 상기 제1 반도체층 상에 형성되는 제1 전극; 및 상기 제1 반도체층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 발광 동작 중 발생되는 열의 방열과 광효율을 향상시키는 효과를 갖는다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/21699
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공과대학 > 전자공학과 > Patents
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