반도체 나노구조체의 도핑방법 및 이를 이용한 에너지 변환

Title
반도체 나노구조체의 도핑방법 및 이를 이용한 에너지 변환
Author(s)
영남대학교 산학협력단박일규차승남손정인
Issue Date
20141215
Abstract
본 발명은 나노구조의 형상에 관계없이 다양한 구조에서 용이하게 도핑을 수행할 수 있으며, 또한 열처리 과정에서의 온도와 시간의 조절을 통해 도판트의 도핑깊이를 용이하게 제어할 수 있는 반도체 나노구조의 도핑방법 및 이를 이용한 에너지 변환소자를 위하여, 적어도 일면 상에 ZnO를 포함하는 반도체 나노구조체가 형성된 기판을 준비하는 단계, 상기 기판과 이격되어 상기 반도체 나노구조체 상부에, P, As, Sb, N, Li, K, Na 및 Cs으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘 이상을 포함하는, p 타입 도판트를 함유하는 적어도 하나 이상의 코팅층이 형성된 도핑용 부재를 배치시키는 단계 및 열처리를 통하여 상기 적어도 하나 이상의 코팅층에 포함된 p 타입 도판트를 상기 반도체 나노구조체로 공급하는 단계를 포함하는, 반도체 나노구조체의 도핑방법 및 이를 이용한 에너지 변환소자를 제공한다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/21691
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공과대학 > 전자공학과 > Patents
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