씨앗층을 이용한 태양광흡수층박막 제조 기술

Title
씨앗층을 이용한 태양광흡수층박막 제조 기술
Author(s)
영남대학교 산학협력단전찬욱
Issue Date
20150729
Abstract
본 발명은 Cu(In,Ga)Se2 (이하 CIGS) 화합물박막 태양전지의 흡수층 물질인 CIGS를 제조함에 있어서, 씨드층을 사용해 배면전극 상에 형성되는 몰리셀레나이드 박막의 두께를 제어하고, CIGS 광흡수층의 결정성장 방향을 제어하여 고효율의 태양전지 제조방법에 대한 것이다. 태양전지 제조방법을 위하여, 기판 및 상기 기판 상에 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부를 구비하는, 태양전지용 배면전극을 제공하는 단계; 상기 몰리브덴층을 포함하는 태양전지용 예비전극부 상에, 결정배향성을 가지는, CIGS 씨드층을 형성하는 단계; 상기 CIGS 씨드층 상에 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 예비광흡수층을 형성하는 단계; 및 셀렌화에 수반된 셀레늄(Se)이 상기 예비광흡수층과 반응함으로써, 상기 CIGS 씨드층과 예비광흡수층이 상기 결정배항성과 동일한 결정배향성을 가지는 CIGS 광흡수층으로 형성되는, 상기 셀렌화를 수행하는 단계;를 포함하는, 태양전지의 제조방법을 제공한다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/21541
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공과대학 > 화학공학부 > Patents
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