용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 막 성장 방법

Title
용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 막 성장 방법
Author(s)
영남대학교 산학협력단김도훈정우식박진호윤덕선
Issue Date
20090105
Abstract
Ga(mDTC)3 와 같이 갈륨을 함유하고 600 ℃ 이하에서 황화물로의 전환이 용이하고 700 ℃ 이하에서 질화물로의 전환이 용이한 전구체 물질과, 클로로포름과 같이 상기한 전구체 물질을 용해하며 100 ℃ 이하에서 증발이 용이하고 잔유물이 남지 않는 용매를 혼합하여 기판 상에 스핀코팅한 후, 이를 이용하여 통상의 HVPE 및 MOCVD법을 사용하여 GaN 박막 및 후막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 용액 코팅 씨앗층 형성 공정에 의한 갈륨 질소 박막 및 후막 성장 방법을 제공하여 비교적 낮은 온도에서 우수한 품질의 GaN 결정막을 얻을 수 있도록 하는 데 있다.
URI
http://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/21466
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공과대학 > 화학공학부 > Patents
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