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dc.contributor.other영남대학교 산학협력단ko
dc.date.accessioned2015-12-16T15:31:10Z-
dc.date.available2015-12-16T15:31:10Z-
dc.date.issued20110622-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/YU.REPOSITORY/21312-
dc.description.abstract발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층이 차례로 적층된 발광 구조체를 제공하고, 발광 구조체 상에 투명 전극층을 제공하고, 투명 전극층 상에 오믹 전극을 제공한다. 투명 전극층 및 오믹 전극을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 하는 쇼트키 전극을 제공한다. 오믹 전극은 쇼트키 전극을 둘러싸고, 오믹 전극과 쇼트키 전극 사이에 이격된 공간이 제공된다.-
dc.title발광 다이오드 및 그 제조 방법-
dc.typePatent-
dc.identifier.registno10-1045057-
dc.date.regist2011-06-22-
dc.identifier.applicationno10-2010-0006042-
dc.date.application2010-01-22-
dc.contributor.creator김세민ko
dc.contributor.creator장자순ko
dc.contributor.creator박일규ko
dc.contributor.creator장선호ko
dc.description.claim청구항1. <claim-text>기판;<br></br>상기 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층이 차례로 적층된 발광 구조체;<br></br>상기 발광 구조체 상의 투명 전극층;<br></br>상기 투명 전극층 상의 오믹 전극; 및<br></br>상기 투명 전극층 및 상기 오믹 전극을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 하는 쇼트키 전극을 포함하고, <br></br>상기 오믹 전극은 상기 쇼트키 전극을 둘러싸고, 상기 오믹 전극과 상기 쇼트키 전극 사이에 이격된 공간이 제공되는 발광 다이오드. </claim-text> 청구항2. <claim-text>제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 초격자층을 추가로 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항3. <claim-text>제 2 항에 있어서, 상기 초격자층은 In<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>1</sub><sub>-x-y</sub>N(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)층인 발광 다이오드.</claim-text> 청구항4. <claim-text>제 1 항에 있어서, 상기 쇼트키 전극은 Cr, Al, Ru, Pt, Au, W, Mo, Cu, Co, Pd, Ni, Ti, V 및 Ta 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항5. <claim-text>제 4 항에 있어서, 상기 쇼트키 전극은 쇼트키 접합 전극과 쇼트키 보조 전극을 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항6. <claim-text>제 5 항에 있어서, 상기 쇼트키 접합 전극은 상기 제 2 반도체 상에 Cr 및 Al이 차례로 제공되고, 상기 쇼트키 보조 전극은 상기 쇼트키 접합 전극 상에 Ni 및 Au가 차례로 제공된 발광 다이오드.</claim-text> 청구항7. <claim-text>제 1 항에 있어서, 상기 오믹 전극은 Pt, Au, W, Mo, Cu, Co, Pd 또는 Ni 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항8. <claim-text>제 7 항에 있어서, 상기 오믹 전극은 오믹 접합 전극 및 오믹 보조 전극을 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항9. <claim-text>제 8 항에 있어서, 상기 오믹 접합 전극은 상기 투명 전극층 상에 제공되는 Pt층인 발광 다이오드.</claim-text> 청구항10. <claim-text>제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층 상에 n형 전극을 더 포함하는 발광 다이오드.</claim-text> 청구항11. <claim-text>기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 차례로 적층하여 발광 구조체를 형성하는 것;<br></br>상기 발광 구조체 상에 투명 전극층을 형성하는 것;<br></br>상기 투명 전극층을 식각하여 콘택홀을 형성하는 것;<br></br>상기 투명 전극층 상에 오믹 전극을 형성하는 것;<br></br>상기 콘택홀 내에 쇼트키 전극을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법.</claim-text> 청구항12. <claim-text>제 11 항에 있어서, 상기 발광 구조체와 상기 투명 전극층 사이에 초격자층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법.</claim-text> 청구항13. <claim-text>제 11 항에 있어서, 상기 오믹 전극 및 상기 쇼트키 전극을 열처리하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법.</claim-text> 청구항14. <claim-text>제 11 항에 있어서, 상기 쇼트키 전극을 형성하는 것은 상기 콘택홀의 내측벽과 이격되어 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법.</claim-text> 청구항15. <claim-text>제 11 항에 있어서, 상기 쇼트키 전극을 형성하는 것은:<br></br>상기 콘택홀의 내부 및 및 상기 오믹 전극층 상에 희생층을 형성하는 것;<br></br>상기 콘택홀의 내측벽으로부터 이격된 중심부의 상기 희생층을 제거하여 상기 제 2 반도체층을 노출하는 것;<br></br>상기 노출된 제 2 반도체층 상에 쇼트키 전극 층을 형성하는 것; 및 <br></br>상기 희생층을 제거하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법.</claim-text> 청구항16. <claim-text>제 11 항에 있어서, 상기 발광 구조체를 식각하여 상기 제 1 반도체층을 노출하는 것; 및 <br></br>상기 노출된 제 1 반도체층 상에 제 1 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법.<br></br><br></br></claim-text>-
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공과대학 > 전자공학과 > Patents
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